柔性及微纳结构半导体激光器、光电探测器等研发

博士   |   1人   |   全职   |   北京
材料与光电子(硕博) 测控技术与仪器 电子科学与技术 光电材料化学(硕博) 物理学 新能源材料(硕博) 应用物理学 自动化
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职位描述
要求:2021届应届毕业生
招聘简章
  1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所(以下简称半导体所),开启了中国半导体科学技术的发展之路。   半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心;三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室(半导体所区);两个院级实验室(中心)—半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心。此外,还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、元器件检测中心和半导体能源研究发展中心。并成立了图书信息中心,为研究所提供科研支撑服务。   半导体研究所现有职工690余名,其中科技人员480余名,中国科学院院士8名,中国工程院院士2名,正副研究员及高级工程技术人员209名,“百人计划”入选者及国家“杰青”获得者44人次、国家百千万人才工程入选者6名。其中黄昆先生荣获2001年度国家最高科学技术奖。设有3个博士后流动站,3个一级学科博士培养点,3个工程硕士培养点,。 半导体所高度重视国内外交流合作,与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发(转移)中心、9个联合实验室,积极为企业和区域经济社会发展服务。同时积极开展多层次、全方位的国际学术交流与合作,成绩显著,科学技术部和国家外国专家局批准成立“国家级国际联合研究中心”。并且以自主知识产权的专利和专有技术投资,融合社会资本建立了10余家高技术企业,并实施科研成果转化为现实生产力,已初步形成产业化、商品化规模。
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